銅張セラミック基板は高電圧大功率IGBTモジュールの重要構成部品として、セラミックの高熱伝導性、高電気絶縁性、高機械強度などの特徴を備えているだけでなく、無酸素銅の高導電性と優れた溶接性を備え、各種パターンを作ることもできて、SICチップ、大功率IGBTモジュール、半導体用冷却・加熱部品のパッケージング材に適用する素材です。
DCB(Direct Copper Bonding)とは銅箔をセラミックの表面に焼結した電子基礎材料であり、優れた熱循環性、高い機械強度、高い熱伝導率、高い絶縁性と高電流耐流能力を備えています。
活性金属ロウ付け(Active Metal Brazing)工法は、DBC工法を更に進化させたものであり、ロウ付け材料に含まれている少量の活性金属Ti、Zrとセラミックの反応を利用して、液体ロウ付け材料で濡れる反応層を生成することで、セラミックと金属をボンディングさせる工法です。
DPC(Direct plating copper)製品は非常に高い精密度を持ち、主にマグネトロンスパッタリング方式で銅メッキを施してから、表面処理により、基板の溶接可能性と抗酸化性を高め、より優れた平坦度とより強い結合力を持つ精細な回路を作成することができます。